Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Technologie
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
2 N-Channel (Half Bridge)
Konfiguration
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1.7A, 500mA
10A (Ta), 40A (Ta)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Vgs(th) (max.) bei Id
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
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Leistung - Max.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
9-BGA (1.35x1.35)
Die
Gehäusetyp vom Lieferanten
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