Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1.7A (Ta)
-
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
65mOhm @ 1A, 5V
-
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 600μA
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.91 nC @ 5 V
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
90 pF @ 50 V
-
Verlustleistung (max.)
-
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Surface Mount
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
-
