Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Discontinued
Active
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3A (Ta)
-
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 5V
-
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 1mA
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1.8 nC @ 5 V
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
145 pF @ 100 V
-
Verlustleistung (max.)
-
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Surface Mount
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
-
