2N3501
2N3501
Active
Beschreibung:  BI-POLAR SILICON TRANSISTOR NPN
Hersteller:  Solid State
Datenblatt:   2N3501 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.50000
Vorrätig: 21800
2N3501 vs 2N3799
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
150V
60V
Frequenz - übergang
150MHz
-
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
-
Verstärkung
-
-
Leistung - Max.
1W
1.2W
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
300 @ 500μA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300mA
50mA
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
TO-18 (TO-206AA)