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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren  /  Solid State 2N3501
2N3501
2N3501
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Beschreibung:  BI-POLAR SILICON TRANSISTOR NPN
Hersteller:  Solid State
Datenblatt:   2N3501 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.50000
Vorrätig: 47180
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
2N3501 Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
2N3501
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Hersteller
Solid State
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Status
Active
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
150V
Frequenz - übergang
150MHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
Verstärkung
-
Leistung - Max.
1W
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300mA
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
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    Kundenbewertungen
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    Patricia Williams
    United Kingdom
    5 stars
    2026-09-18 16:01
    Alles ist in Ordnung. Empfehlen
    Angela Davis
    United States
    5 stars
    2026-09-18 15:47
    Sehr schnelle Lieferzeiten!
    Andrés López
    Spain
    5 stars
    2026-09-18 10:23
    Gut verpackte erhaltene Komponente. In Tests. Vielen Dank
    Lars de Ruiter
    Netherlands
    5 stars
    2026-09-18 07:56
    In gutem Zustand erhalten. Vielen Dank.
    Lea Weber
    Germany
    5 stars
    2026-09-18 06:16
    100% Qualität. Sehr gutes Produkt.
    Mia Bauer
    Germany
    5 stars
    2026-09-18 06:16
    Funktioniert wie beschrieben. Schnelle Lieferung und sehr gute packaging__Thanks
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