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2N3501
2N3501
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Beschreibung:  BI-POLAR SILICON TRANSISTOR NPN
Hersteller:  Solid State
Datenblatt:   2N3501 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.50000
Vorrätig: 21800
Spezifikation
PDF Datenblatt
Teile Vergleichen
Rezension
2N3501 vs 2N3499
Teilenummer
2N3501
2N3499
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren
Hersteller
Solid State
Solid State
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
150V
100V
Frequenz - übergang
150MHz
150MHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
-
-
Verstärkung
-
-
Leistung - Max.
1W
1W
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
100 @ 150mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300mA
500mA
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
TO-39
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