AF80GSAJB-DBBIX

Active

Speicherkarten

Beschreibung: NVME GEN3X4 M.2 2230 80GB I-TEMP

Hersteller: ATP Electronics

Datenblatt: AF80GSAJB-DBBIX Datenblatt

Geschichte Preis: $104.535

Vorrätig: 47500

AF80GSAJB-DBBIX Spezifikation

Spezifikation

Teilenummer

AF80GSAJB-DBBIX

Kategorie

Speicherkarten

Hersteller

ATP Electronics

Reihe

Verpackung

Tray

Status

Active

Einhaltung von Umweltvorschriften

Bleifrei

Strahlenhärtung

Nein

REACH SVHC

Kein SVHC

RoHS

Gefällig

HS-Code

Technische Parameter

Speichertyp

Speichergröße

Geschwindigkeit

Technologie

Betriebstemperatur

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Kundenbewertungen

4,95 von 5,00 Sternen aus 131 Kundenbewertungen aus aller Welt

Laura Dufour

France

2026-03-10 01:16

Guter Kommer

Heather Sanders

United States

2026-03-09 23:05

Der IGBT-Transistor funktioniert wie der ursprüngliche one.__Fast shipping.__Good Verkäufer.

Igor Pawlak

Poland

2026-03-09 21:05

Schnell wysylka, aber kollektiver Versand Dluga, IGBT-Tester bside plus T7-H nicht wykrywaja, nur mierza pojemnosc Gateway und Diode wewnetrzna, fГјr teście zalaczania und wylaczania - przelaczaja richtig, und dies zadkosc wsrod IGBT dostępnych auf Ali. E13009

Frau Maria Bauer

Germany

2026-03-09 20:52

Sehr gute Qualität original kann man nur empfehlen gute Verpackung

Valeria Rinaldi

Italy

2026-03-08 07:48

Original für mich meine gebaut von ST......

Dr. Peter Hoffmann

Germany

2026-03-07 04:58

Priyshov bistro I yak zakazuvav all v?dpov?dae inventory