Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
5.2V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
1V, 2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
-
Eingangstyp
Inverting, Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
9ns, 9ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
36-PowerBSSOP (0.433", 11.00mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
PowerSO-36, Bottom Pad