Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
5V ~ 12V
Logikspannung - VIL, VIH
1V, 2.3V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
2A, 2A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
41 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC