Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
1.45V, 2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
4A, 4A
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
600 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
15ns, 15ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
14-SO