Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
17V (Max)
Logikspannung - VIL, VIH
1.5V, 3.6V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
400mA, 650mA
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
600 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
50ns, 30ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
14-SO