Technische Parameter
Technologie
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speicherorganisation
32K x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
45ns
Spannung - Versorgung
2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
32-SOIC