Technische Parameter
Technologie
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speicherorganisation
8K x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
25ns
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
28-SOIC