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BS2101F-E2
BS2101F-E2
Last Time Buy
Beschreibung:  IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP
Hersteller:  Rohm Semiconductor
Datenblatt:   BS2101F-E2 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.60000
Vorrätig: 8390
BS2101F-E2 Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
BS2101F-E2
Kategorie
PMIC - Gate-Treiber
Hersteller
Rohm Semiconductor
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status
Last Time Buy
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
High-Side or Low-Side
Kanaltyp
Synchronous
Anzahl der Treiber
2
Gattertyp
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH
1V, 2.6V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
60mA, 130mA
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
600 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
60ns, 20ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOP
BS2101F-E2 PDF Datenblatt
Kundenbewertungen
4,95 von 5,00 Sternen aus 133 Kundenbewertungen aus aller Welt
Paul Hoffmann
Germany
5 stars
2026-09-20 09:20
schnelle Abwicklung und Versand, gute Qualität, ich mag diesen Verkäufer Vielen Dank
Finn Weber
Germany
5 stars
2026-09-20 08:01
Der klassische N-Kanal-MOSFET.
David Meier
Germany
5 stars
2026-09-20 06:56
Die Lieferung war schnell, die Qualität des Produkts ist gut.
Hugo Morel
France
5 stars
2026-09-20 04:45
Gut aufgenommen wurde das Objekt
Elena Jimena
Spain
5 stars
2026-09-20 03:53
Qualitätsprodukt, schneller Versand. Alles ok
Felix Bauer
Germany
5 stars
2026-09-20 03:35
Alles wie beschrieben wie Wieder