Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
High-Side
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
25V (Max)
Logikspannung - VIL, VIH
-
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
-
Eingangstyp
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
16-SOIC