Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
3A, 3A
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
23ns, 25ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
16-SOIC
