Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
High-Side or Low-Side
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
2.75V ~ 30V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
-
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC