Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.5A, 1.5A
Eingangstyp
Inverting, Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
20ns, 29ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
