Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
6A, 6A
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
20ns, 20ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
8-VDFN Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DFN-S (6x5)