Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
620 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
7A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4.5V @ 50μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
890 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
;;2.jpg)
