Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
950mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 100μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16.5 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
450 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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