Technische Parameter
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
400V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV @ 1A, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
250μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
12 @ 2A, 5V
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DIP