Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
24 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
60A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.8V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
84 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3940 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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