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2N3583
2N3583
Active
Beschreibung:  TRANS NPN 175V 0.01A TO66
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   2N3583 Datenblatt
Geschichte Preis: $3.09000
Vorrätig: 3300
2N3583 Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
2N3583
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
NTE Electronics
Reihe
-
Verpackung
Bag
Status
Active
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
175 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 500mA, 10V
Leistung - Max.
35 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-213AA, TO-66-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)
2N3583 PDF Datenblatt
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