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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - IGBTs - IGBT-Module  /  Microsemi Corporation APTGT75DA170D1G
APTGT75DA170D1G
APTGT75DA170D1G
Obsolete
Transistoren - IGBTs - IGBT-Module
Beschreibung:  IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
Hersteller:  Microsemi Corporation
Datenblatt:   APTGT75DA170D1G Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 22720
Spezifikation
PDF Datenblatt
Teile Vergleichen
Rezension
APTGT75DA170D1G Spezifikation
Spezifikation
Teilenummer
APTGT75DA170D1G
Kategorie
Transistoren - IGBTs - IGBT-Module
Hersteller
Microsemi Corporation
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Status
Obsolete
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Konfiguration
Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1700 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
120 A
Leistung - Max.
520 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2.4V @ 15V, 75A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
5 mA
EingangsKapazität (Cies) bei Vce
6.5 nF @ 25 V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
No
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
D1
Gehäusetyp vom Lieferanten
D1
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    Kundenbewertungen
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    Salomé Lefèvre
    France
    5 stars
    2026-09-19 04:17
    Großes Dankeschön
    Martin Roy
    France
    5 stars
    2026-09-19 03:51
    Großes Dankeschön
    Eglė Vaitkevičienė
    Lithuania
    5 stars
    2026-09-19 00:27
    IC%27%27s können original sein. Offset-Spannung ist laut Datenblatt, Balance ist auch schlecht. Danke!
    Roos van der Heijden
    Netherlands
    5 stars
    2026-09-19 00:23
    Produkt wie beschrieben
    Niklas Schneider
    Germany
    5 stars
    2026-09-18 23:47
    Schneller Versand nach Deutschland. Sichere packaged.__Price Leistung der Agentur sind top
    Laura Boucher
    France
    5 stars
    2026-09-18 23:09
    Nicht getestet, sieht gut aus. Viel zu viele nutzlose Plastikverpackungen.
    Urheberrecht © 2021-2026 Octopart.com.de
    Profil | E-Mail: support@octopart.ca
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