Technische Parameter
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV @ 10mA, 250mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 @ 50mA, 1V
Frequenz - übergang
50MHz
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92