Spezifikation
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor
Einhaltung von Umweltvorschriften
Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18A (Ta), 46A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
33 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1333 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251A
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 Stub Leads, IPak
