NCV57090FDWR2G
NCV57090FDWR2G
Active
Beschreibung:  ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
Hersteller:  onsemi
Geschichte Preis: $3.08
Vorrätig: 21695
NCV57090FDWR2G vs NCV57090ADWR2G
Hersteller
Reihe
Automotive, AEC-Q101
Automotive, AEC-Q100
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
Technologie
Capacitive Coupling
Capacitive Coupling
Anzahl der Kanäle
1
1
Spannung - Isolation
5000Vrms
5000Vrms
Gleichtakt-Transientenimmunität (min.)
100kV/µs
100kV/µs
Laufzeitverzögerung tpLH / tpHL (max.)
90ns, 90ns
90ns, 90ns
Pulsbreitenverzerrung (max.)
30ns
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
13ns, 13ns
13ns, 13ns
Strom - Ausgang, HIGH/LOW
6.5A, 6.5A
6.5A, 6.5A
Strom - Spitze, Ausgang
6.5A
6.5A
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
-
-
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
-
-
Spannung - Ausgangsversorgung
0V ~ 32V
0V ~ 32V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃
-40 ℃ ~ 125 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
8-SOIC
Zulassungsbehörde
VDE
VDE