MCT2E3SD
MCT2E3SD
Obsolete
Beschreibung:  OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD
Hersteller:  onsemi
Datenblatt:   MCT2E3SD Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 37500
MCT2E3SD vs MCT9001W
Teilenummer
Hersteller
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tube
Status
Obsolete
Obsolete
Anzahl der Kanäle
1
2
Spannung - Isolation
5300Vrms
5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min.)
20% @ 10mA
50% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)
-
600% @ 5mA
Einschalt- / Ausschaltzeit (Typ.)
1.1µs, 50µs
3µs, 3µs
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
2.4µs, 2.4µs
Eingangstyp
DC
DC
Ausgangstyp
Transistor with Base
Transistor
Spannung - Ausgang (Max.)
30V
55V
Strom - Ausgang / Kanal
50mA
30mA
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
1.25V
1V
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
100 mA
60 mA
Vce-Sättigung (max.)
400mV
400mV
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 100 ℃
-55 ℃ ~ 100 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
6-SMD, Gull Wing
8-DIP (0.400", 10.16mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-SMD
8-MDIP