H11A3SR2VM
H11A3SR2VM
Obsolete
Beschreibung:  OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD
Hersteller:  onsemi
Datenblatt:   H11A3SR2VM Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 13800
H11A3SR2VM vs H11A3W
Teilenummer
Hersteller
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tube
Status
Obsolete
Obsolete
Anzahl der Kanäle
1
1
Spannung - Isolation
7500Vpk
5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min.)
20% @ 10mA
20% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)
-
-
Einschalt- / Ausschaltzeit (Typ.)
2µs, 2µs
2µs, 2µs
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
-
Eingangstyp
DC
DC
Ausgangstyp
Transistor with Base
Transistor with Base
Spannung - Ausgang (Max.)
30V
30V
Strom - Ausgang / Kanal
-
-
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
1.18V
1.18V
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
60 mA
100 mA
Vce-Sättigung (max.)
400mV
400mV
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 100 ℃
-55 ℃ ~ 100 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
6-SMD, Gull Wing
6-DIP (0.400", 10.16mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-SMD
6-DIP