H11A3SR2M
H11A3SR2M
Obsolete
Beschreibung:  OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD
Hersteller:  onsemi
Datenblatt:   H11A3SR2M Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 12100
H11A3SR2M vs H11A617A300
Teilenummer
Hersteller
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Box
Status
Obsolete
Obsolete
Anzahl der Kanäle
1
1
Spannung - Isolation
7500Vpk
5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min.)
20% @ 10mA
40% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)
-
80% @ 10mA
Einschalt- / Ausschaltzeit (Typ.)
2µs, 2µs
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
2.4µs, 2.4µs
Eingangstyp
DC
DC
Ausgangstyp
Transistor with Base
Transistor
Spannung - Ausgang (Max.)
30V
70V
Strom - Ausgang / Kanal
-
50mA
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
1.18V
1.35V
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
60 mA
50 mA
Vce-Sättigung (max.)
400mV
400mV
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 100 ℃
-55 ℃ ~ 100 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
6-SMD, Gull Wing
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-SMD
4-DIP