Spannung - Isolation
5000Vrms
3750Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min.)
19% @ 16mA
40% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)
50% @ 16mA
80% @ 10mA
Einschalt- / Ausschaltzeit (Typ.)
350ns, 300ns
3µs, 3µs
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
1.6µs, 2.2µs
Ausgangstyp
Transistor
Transistor with Base
Spannung - Ausgang (Max.)
20V
80V
Strom - Ausgang / Kanal
8mA
-
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
1.45V
1.3V
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
25 mA
60 mA
Vce-Sättigung (max.)
-
400mV
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 100 ℃
-55 ℃ ~ 110 ℃
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DIP
8-SOP
