Spannung - Isolation
4170Vrms
5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min.)
63% @ 10mA
160% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)
125% @ 10mA
320% @ 10mA
Einschalt- / Ausschaltzeit (Typ.)
2µs, 3µs
2µs, 3µs
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
4µs, 3.5µs (Max)
1µs, 2µs
Ausgangstyp
Transistor with Base
Transistor with Base
Spannung - Ausgang (Max.)
70V
70V
Strom - Ausgang / Kanal
50mA
50mA
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
1.35V
1.35V
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
60 mA
100 mA
Vce-Sättigung (max.)
400mV
300mV
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 100 ℃
-55 ℃ ~ 100 ℃
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
6-DIP (0.300", 7.62mm)
6-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-DIP
6-DIP