6N138F
6N138F
Obsolete
Beschreibung:  OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
Hersteller:  Toshiba Semiconductor
Datenblatt:   6N138F Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 40100
6N138F vs 6N135W
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tube
Tube
Status
Obsolete
Obsolete
Anzahl der Kanäle
1
1
Spannung - Isolation
2500Vrms
2500Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min.)
300% @ 1.6mA
7% @ 16mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)
-
50% @ 16mA
Einschalt- / Ausschaltzeit (Typ.)
1µs, 4µs
450ns, 500ns
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
-
Eingangstyp
DC
DC
Ausgangstyp
Darlington with Base
Transistor with Base
Spannung - Ausgang (Max.)
18V
20V
Strom - Ausgang / Kanal
60mA
8mA
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
1.65V
1.45V
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
20 mA
25 mA
Vce-Sättigung (max.)
-
-
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃
-55 ℃ ~ 100 ℃
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-DIP (0.400", 10.16mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DIP
8-MDIP