6N136F
6N136F
Obsolete
Beschreibung:  OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP
Hersteller:  Toshiba Semiconductor
Datenblatt:   6N136F Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 20700
6N136F vs 6N138
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tube
Tube
Status
Obsolete
Active
Anzahl der Kanäle
1
1
Spannung - Isolation
2500Vrms
5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min.)
19% @ 16mA
300% @ 1.6mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)
-
-
Einschalt- / Ausschaltzeit (Typ.)
200ns, 500ns
10µs, 35µs (Max)
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
-
Eingangstyp
DC
DC
Ausgangstyp
Transistor with Base
Darlington with Base
Spannung - Ausgang (Max.)
15V
7V
Strom - Ausgang / Kanal
8mA
60mA
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
1.65V
1.3V
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
25 mA
20 mA
Vce-Sättigung (max.)
-
-
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 100 ℃
0 ℃ ~ 70 ℃
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DIP
8-DIP