4N29TVM
4N29TVM
Obsolete
Beschreibung:  OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Hersteller:  onsemi
Datenblatt:   4N29TVM Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 11600
4N29TVM vs 4N28FVM
Teilenummer
Hersteller
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Tube
Status
Obsolete
Obsolete
Anzahl der Kanäle
1
1
Spannung - Isolation
4170Vrms
7500Vpk
Stromübertragungsverhältnis (min.)
100% @ 10mA
10% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)
-
-
Einschalt- / Ausschaltzeit (Typ.)
5µs, 40µs (Max)
2µs, 2µs
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
-
Eingangstyp
DC
DC
Ausgangstyp
Darlington with Base
Transistor with Base
Spannung - Ausgang (Max.)
30V
30V
Strom - Ausgang / Kanal
150mA
-
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
1.2V
1.18V
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
80 mA
60 mA
Vce-Sättigung (max.)
1V
500mV
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 100 ℃
-55 ℃ ~ 100 ℃
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
6-DIP (0.400", 10.16mm)
6-SMD, Gull Wing
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-DIP
6-SMD