Getriebene Konfiguration
Low-Side
Low-Side
Kanaltyp
Independent
Single
Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 15V
4V ~ 15V
Logikspannung - VIL, VIH
1V, 2V
1.1V, 2.7V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
4A, 4A
9A, 9A
Eingangstyp
Inverting, Non-Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
20ns, 15ns
20ns, 20ns
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
8-PDIP
