Verpackung
Bulk or Tube
Tube
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Low-Side
Kanaltyp
Independent
Single
Gattertyp
N-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
8V ~ 17V
4V ~ 15V
Logikspannung - VIL, VIH
3V, 8V
1.1V, 2.7V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
3A, 3A
9A, 9A
Eingangstyp
Non-Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
120 V
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
8ns, 7ns
20ns, 20ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 140 ℃ (TJ)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
8-PDIP
