Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Low-Side
Kanaltyp
Independent
Independent
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
3V ~ 18V
4.5V ~ 15V
Logikspannung - VIL, VIH
1.2V, 1.6V
1V, 2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
4A, 6A
4A, 4A
Eingangstyp
CMOS/TTL
Inverting, Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
6ns, 7ns
20ns, 15ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 130 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
14-SOIC
8-SOIC
