Getriebene Konfiguration
Low-Side
Low-Side
Kanaltyp
Synchronous
Independent
Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
7V ~ 20V
5V ~ 40V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2V
0.8V, 2.2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
500mA, 1A
1.5A, 1.5A
Eingangstyp
Non-Inverting
Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
30ns, 25ns
20ns, 20ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PDIP
8-PDIP
