Getriebene Konfiguration
Low-Side
Low-Side
Kanaltyp
Independent
Synchronous
Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
5V ~ 35V
7V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2V
0.8V, 2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
3A, 3A
500mA, 1A
Eingangstyp
Non-Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
25ns, 25ns
30ns, 25ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
0 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PDIP
16-SOIC
