Getriebene Konfiguration
Low-Side
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Gattertyp
N-Channel, P-Channel MOSFET
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Spannung - Versorgung
5V ~ 35V
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Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2V
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Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
3A, 3A
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Eingangstyp
Non-Inverting
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Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
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Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
25ns, 25ns
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Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
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Montagetyp
Through Hole
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Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
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Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PDIP
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