Getriebene Konfiguration
Low-Side
Low-Side
Gattertyp
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
5V ~ 40V
4.7V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.2V
0.8V, 2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.5A, 1.5A
6A, 6A
Eingangstyp
Inverting, Non-Inverting
Inverting, Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
60ns, 60ns
85ns, 85ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PDIP
8-PDIP
