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NM27C040Q170
NM27C040Q170
Active
Speicher
Beschreibung:  IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32CDIP
Hersteller:  National Semiconductor
Datenblatt:   NM27C040Q170 Datenblatt
Geschichte Preis: $4.56000
Vorrätig: 2000
Spezifikation
PDF Datenblatt
Teile Vergleichen
Rezension
NM27C040Q170 vs NM27C512QE120
Teilenummer
NM27C040Q170
NM27C512QE120
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
National Semiconductor
onsemi
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Tube
Status
Active
Obsolete
Speichertyp
Non-Volatile
Non-Volatile
Speicherformat
EPROM
EPROM
Technologie
EPROM - UV
EPROM - UV
Speichergröße
4Mbit
512Kbit
Speicherorganisation
512K x 8
64K x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
-
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
-
Zugriffszeit
170 ns
120 ns
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window
28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
Gehäusetyp vom Lieferanten
32-CDIP
28-CDIP
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