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NM27C040Q170
NM27C040Q170
Active
Speicher
Beschreibung:  IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32CDIP
Hersteller:  National Semiconductor
Datenblatt:   NM27C040Q170 Datenblatt
Geschichte Preis: $4.56000
Vorrätig: 2000
Spezifikation
PDF Datenblatt
Teile Vergleichen
Rezension
NM27C040Q170 vs NM25C160LZEM8
Teilenummer
NM27C040Q170
NM25C160LZEM8
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
National Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Speichertyp
Non-Volatile
Non-Volatile
Speicherformat
EPROM
EEPROM
Technologie
EPROM - UV
EEPROM
Speichergröße
4Mbit
16Kbit
Speicherorganisation
512K x 8
2K x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
SPI
Taktfrequenz
-
1 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
15ms
Zugriffszeit
170 ns
-
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 5.5V
2.7V ~ 4.5V
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
32-CDIP
8-SOIC
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