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NM27C010N200
Active
Speicher
Beschreibung:
IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP
Hersteller:
National Semiconductor
Datenblatt:
NM27C010N200 Datenblatt
Geschichte Preis: Active
Vorrätig: 21400
Spezifikation
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Hersteller
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NM27C010N200 vs NM27C256N200
Teilenummer
NM27C010N200
NM27C256N200
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
National Semiconductor
onsemi
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Tube
Status
Active
Obsolete
Speichertyp
Non-Volatile
Non-Volatile
Speicherformat
EPROM
EPROM
Technologie
EPROM - OTP
EPROM - OTP
Speichergröße
1Mbit
256Kbit
Speicherorganisation
128K x 8
32K x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
-
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
-
Zugriffszeit
200 ns
200 ns
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
32-DIP (0.600", 15.24mm)
28-DIP (0.600", 15.24mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
32-DIP
28-PDIP