Getriebene Konfiguration
Low-Side
High-Side or Low-Side
Kanaltyp
Independent
Single
Gattertyp
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 20V
2.75V ~ 30V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
0.8V, 2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.5A, 1.5A
-
Eingangstyp
Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
20ns, 18ns
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
8-PDIP
