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Speicher
/ Rochester Electronics MD27C256-20/B
MD27C256-20/B
Active
Speicher
Beschreibung:
32 X 8 CMOS EPROM; PACKAGE WILL
Hersteller:
Rochester Electronics
Datenblatt:
MD27C256-20/B Datenblatt
Geschichte Preis: Active
Vorrätig: 39500
Spezifikation
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Rezension
Teilenummer
Hersteller
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Land / Region
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MD27C256-20/B vs MD2148H
Teilenummer
MD27C256-20/B
MD2148H
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Rochester Electronics
Intel
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Speichertyp
-
Volatile
Speicherformat
-
SRAM
Technologie
-
SRAM - Asynchronous
Speichergröße
-
4Kbit
Speicherorganisation
-
1K x 4
Speicherschnittstelle
-
Parallel
Taktfrequenz
-
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
70ns
Zugriffszeit
-
70 ns
Spannung - Versorgung
-
4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur
-
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TC)
Montagetyp
-
Through Hole
Gehäuse / Hülle
-
18-CDIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
18-CDIP