MD2716M/B
MD2716M/B
Active
Beschreibung:  MD2716M/B
Hersteller:  Rochester Electronics
Datenblatt:   MD2716M/B Datenblatt
Geschichte Preis: $84.22000
Vorrätig: 12300
MD2716M/B vs MD2148H3
Teilenummer
Kategorie
Reihe
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Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Speichertyp
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Volatile
Speicherformat
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SRAM
Technologie
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SRAM - Asynchronous
Speichergröße
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4Kbit
Speicherorganisation
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1K x 4
Speicherschnittstelle
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Parallel
Taktfrequenz
-
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Schreibzykluszeit - Wort, Seite
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55ns
Zugriffszeit
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55 ns
Spannung - Versorgung
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4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur
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-55 ℃ ~ 125 ℃ (TC)
Montagetyp
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Through Hole
Gehäuse / Hülle
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18-CDIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
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18-CDIP