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/ Rochester Electronics MD2716M/B
MD2716M/B
Active
Speicher
Beschreibung:
MD2716M/B
Hersteller:
Rochester Electronics
Datenblatt:
MD2716M/B Datenblatt
Geschichte Preis: $84.22000
Vorrätig: 12300
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
Teilenummer
Hersteller
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Anfrage Menge
Land / Region
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MD2716M/B vs MD2148H3
Teilenummer
MD2716M/B
MD2148H3
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Rochester Electronics
Intel
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Speichertyp
-
Volatile
Speicherformat
-
SRAM
Technologie
-
SRAM - Asynchronous
Speichergröße
-
4Kbit
Speicherorganisation
-
1K x 4
Speicherschnittstelle
-
Parallel
Taktfrequenz
-
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
55ns
Zugriffszeit
-
55 ns
Spannung - Versorgung
-
4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur
-
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TC)
Montagetyp
-
Through Hole
Gehäuse / Hülle
-
18-CDIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
18-CDIP