K4B4G1646E-BCNB
K4B4G1646E-BCNB
Active
Beschreibung:  IC DRAM DDR3 4 Gb 2133 Mbps
Hersteller:  Samsung Semiconductor
Geschichte Preis: $0
Vorrätig: 5100
K4B4G1646E-BCNB vs K4B2G1646F-BCMA
Kategorie
Reihe
-
-
Verpackung
Tray
Tray
Status
Active
EOL
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
DDR3
DDR3
Speichergröße
4 Gb
2 Gb
Speicherorganisation
512M x 8
128M x 16
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
-
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
-
Zugriffszeit
-
-
Spannung - Versorgung
1.5 V
1.5 V
Betriebstemperatur
0 ~ 85 ℃
0 ~ 85 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
96 FBGA
96 FBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
96 FBGA
96 FBGA